手機晶片大廠高通（Qualcomm）表示，已經開始著手45奈米先進製程研發，雖然仍有許多材料上或製程上的問題有待解決，不過整個進展速度仍十分順利，預計2007年下旬就可開始與台積電等晶圓代工夥伴進入試產階段，與台積電在2007年下半年將進入45奈米製程的預估十分符合。而聯電也可能與TI合作，2007年底前就會跨足45奈米市場。

雖然奈米製程的資本支出需求愈來愈大，不過隨著193奈米波長的浸潤式顯影製程（immersion lithography）設備已可支援至32奈米世代，在關鍵設備不需大幅替換情況下，晶圓代工廠在65奈米製程開始進入接單量產階段後，也延續摩爾定律（Moore's Law）原則，開始著手布局下一世代45奈米製程。

台積電目前45奈米製程的浸潤式顯影技術已有所突破，根據了解，台積電試產的SRAM最佳缺陷密度為零，代表45奈米已是可行之路。而台積電90奈米及65奈米大客戶高通，表示已與台積電等晶圓代工廠合作，開始進行45奈米的研發，明年下旬就可試產，顯示台積電應可在客戶的力挺下，明年順利走入45奈米世代。

至於今年亦投入上百億元資金擴充高階奈米製程浸潤式顯影設備的聯電，雖然還沒公布45奈米技術藍圖及生產時間表，但是外傳聯電已開始與大客戶之一的TI合作，為明年底或後年初，以45奈米製程進行試產進行布局。

全球第三大晶圓代工廠特許半導體（Chartered），因與IBM、三星、英飛凌等共同合作研發45奈米技術有成，已經快速拉近與台積電、聯電間的技術落差時間，由於在IBM及大客戶之一的超微力挺下，65奈米已有不錯成績，明年底開始投入45奈米試產應該不會是太難的事。

市場分析師認為，目前90奈米激烈的殺價競爭態勢，除了延續到年底的65奈米市場上外，2008年上旬45奈米市場競爭亦會十分激烈，尤其晶圓代工廠間45奈米試產時程相近，包括三星、東芝等IDM廠的45奈米研發亦有一定成果，並以此投入晶圓代工市場爭取訂單，殺價競爭可能會比現在更激烈。