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旺宏正式啟動NAND快閃記憶體開發計畫
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2007年02月01日 星期四
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旺宏將正式啟動NAND快閃記憶體的開發計畫，以SONOS技術為基礎，預期四年後完成，屆時以45奈米製程技術投入量產，初期生產16GB與32GB的產品，今年並有意尋求策略合作夥伴。
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關鍵字： NAND  旺宏電子  快閃記憶體 
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