根據Silicon Strategies日前報導指出，Micron Technology計畫在今年底前推出NAND flash記憶體產品，首批產品將以2-Gbit NAND記憶體為主，並將被置入記憶卡與其他大量儲存應用產品中，產品最初採用90奈米製程技術，往後將慢慢進展到72奈米與58奈米製程。

Micron表示希望透過在製造方面的專長、先進的程序、產品技術與資本投資，能助其在進入這個市場後成為前三大供應商。Micron未來將積極努力打開NAND市場，未來的產品將包括容量高達16-Gbit的元件，並希望能儘快提高產量以滿足市場的需求。在今年年初，Micron就曾經公開表示將在11月底前完成90耐米的2Gbit元件設計，並且tape out。

Micron的元件如果採用的是floating gate方式，則Micron必須先解決關於智慧財產權的問題，目前相關IP是由Toshiba控制。稍早之前Infineon與FASL（Fujitsu AMD Semiconductor）為了避開有關授權的問題而決定採用另外一個技術NROM，這個技術是由以色列的Saifun公司所開發，而Renesas則是自行開發assist-gate AND技術。

根據Gartner的預估，2005年NAND flash市場規模將達到50億美元，2008年的產值更可望進一步成長到100億美元。這個市場目前由Samsung與Toshiba所主宰，另外Renesas也是重要的供應商。目前多家業者剛踏入NAND市場，或者計畫跨足此一領域，包括Intel、STMicroelectronics/Hynix、Infineon、力晶與FASL等。