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Nanochip計畫以MEMS技術開發100GB容量記憶體
 

【CTIMES/SmartAuto 王岫晨 報導】   2008年01月25日 星期五

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美國Nanochip將募資1400萬美元開發容量達100GB以上的MEMS記憶體技術。據了解,Nanochip對外宣佈,為了利用MEMS技術開發每個晶片容量超過10GB的大容量記憶體晶片技術,將從英特爾投資(Intel Capital)和美國JK&B Capital等單位募資1400萬美元。藉由這些資金,Nanochip將計畫在2008年底之前開發MEMS記憶體樣品,並在2009年內於某些特定領域以樣品方式出貨。

根據了解,Nanochip正在開發的MEMS記憶體,所採用的是使用奈米尺寸探針陣列(Probe Array)在記憶體材料上讀寫資料位元的結構。由於未採用快閃記憶體中容量存在極限的光刻法,因此可以透過現有的製造裝置來達到超過10GB以上容量的記憶體。

該公司最初推出的產品容量將超過100GB,未來更將以低於快閃記憶體的成本來製造容量達到1TB的記憶體晶片,預計首款產品將在2010年之前上市。該公司目前已有7項技術獲得美國專利,另有34項技術正在申請階段。

關鍵字: MEMS(微機電Nanochip  記憶元件 
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