市場消息指出，1G NAND型Flash（快閃記憶體）現貨價持續下跌，原因應與主要記憶體廠商提升產能有關；此外因韓國Hynix亞洲倒貨效應持續發酵，據了解，256M DDR現貨價持續下跌，DDR 333最低價已開出4美元價格。

分析師指出，第二季NAND型Flash價格大跌，雖然刺激市場買氣，但7月以來包括三星、東芝、Hynix、英飛凌、美光等供應商不斷提升產能，造成市場供過於求，再加上力晶、茂德也計畫切入，也造成價格壓力。因此市場近來傳出，NAND型Flash價格下跌太快，會造成供應商回頭生產DRAM，不過各家業者都予以否認。

三星、東芝表示，為維持在NAND快閃記憶體市場占有率，將會持續維持產出量，不會再轉撥產能回頭生產DRAM或其它產品。新進者美光、英飛凌、Hynix也強調，既然公司策略上已經決定投入此一市場，就不會因為價格下跌而退縮，英飛凌至年底月產能達5000片計劃不變，美光則將提高產能至年底佔總產能約一成比重，Hynix則會轉撥一座8吋廠產能生產。

但NAND型Flash價格下降速度過快，DRAM產商將延緩將DRAM產能轉換到快閃記憶體市場，這也將對下半年的DRAM價格帶來新的變數。