據工商時報報導，專注在DRAM後段封測市場的南茂集團與力成科技，因看好明年DDR-II將成為市場主流，且其後段封裝測試製程亦將出現技術世代交替現象，日前分別宣佈DDR-II封測市場策略。

南茂董事長鄭世杰表示，DDR-II將於明年第二季隨著英特爾新晶片組一同推出，預計2005將成為主流產品，但因封裝與測試製程全面更新世代，所以現在佈局DDR-II封測產能，明年才可順利爭取到DRAM廠後段訂單。

南茂針對DDR-II封裝所需的細間距閘球陣列封裝（FBGA），所研發之印刷式B階環氧樹脂（Printable B-stageepoxy）技術，已全面應用於生產線上。在測試部份，因DDR-II運算時脈達533MHz，現在設備並不能支援，因此南茂將採雙向並行策略，除持續添購高階測試機台之外，也致力於提升現有測試機台性能。

力成則表示，該公司第四季可完成微窗閘球陣列封裝（wBGA）產能建置。