經濟部日前正進行兩年一次「新興重要策略性產業屬於製造業及技術服務業部分獎勵辦法」之檢討，其中DRAM部份，擬將獎勵範圍修訂為「DRAM(設計以製程0.13微米以下技術)」。台灣半導體產業協會在匯集會員廠商意見後，強烈建議將獎勵範圍維持在0.18微米門檻。

現今DRAM產品設計，配合製程技術之演進，有兩種走向，一為大容量高密度標準型DRAM，如DDR/DDR II，製程採用0.13、0.11、0.09微米等，而利基型（特殊應用）DRAM，如LP SDRAM等，並不追求大容量、高密度，其製程仍採用0.18微米以下技術。不論是DDR/DDR II或是LP SDRAM，在設計上都有其深度與難度，均屬高科技產品。

不同於DRAM製造業，DRAM IC設計業(Fabless)屬專業IC設計公司，並非以製程技術之開發為主，而是以IC電路設計技術為其主要競爭核心；其供應市場系以特定型應用(Specialty DRAM)為主，必須以其設計技術提供各特定客戶規格之所需。由於其製程條件並非自我掌控，更需要以設計技術彌補可能取得製程條件差異之影響；雖目前標準型DRAM之製程已微縮至0.11um；惟特定型應用之DRAM製程微縮至一極限後，反而受到封裝條件的限制而無法適用。因此，就DRAM IC設計技術而言，維持在0.18um門檻應屬合理。