德國DRAM大廠英飛凌科技已與大陸晶圓代工廠中芯國際達成協議，中芯獲得英飛凌90奈米DRAM溝槽式（Trench）製程技轉，並在北京十二吋廠中以90奈米技術為英飛凌代工512Mb DDR2，初估英飛凌將可取得中芯北京廠每月1萬5000片以上產能。至於與英飛凌共同研發90奈米的南亞科技，則密切注意後續發展中。

英飛凌雖然決定今年七月將記憶體事業切割獨立為新公司，但基本營運策略仍然延續過去思維，為了以最少投資擴大DRAM產能，英飛凌及未來記憶體新公司，仍然持續採用技轉換取產能方式，擴大DRAM市場佔有率。其中在最先進的90奈米製程上，英飛凌除了與華邦簽訂合約技術移轉，取得華邦中科十二吋廠部份產能外，也將與中芯簽訂技轉新合約。