DRAM廠自律　延後蓋12吋廠

南韓電子新聞消息指出，面對今年DRAM市場大幅衰退的窘境，包括三星電子、美光科技、Hynix半導體、Infineon等DRAM大廠，原先計劃將於2001年下半年開始從事興建12吋廠等新投資計畫，將全部延後半年以上。這些國際大廠，目前打算藉由提升製程技術，來降低生產成本。

各大廠目前都認為在供過於求的情況之下，投資興建12吋晶圓廠，負擔太大，所以不僅DRAM大廠延後12吋廠投資至2002年以後，NEC與日立合資的Elpida及台灣DRAM業者，都計劃提前導入可提升單位產量逾30％的0.15微米左右製程技術，來取代蓋廠等投資。

以三星電子來說，決定至9月底前，將目前的0.17～0.19微米技術，90％以上轉變為0.15微米技術；美光科技計劃將0.18微米技術，在2001年底前改為0.15微米技術；Hynix半導體決定將下半年投資額集中用在製程升級上，在2001年底前，將近半數生產線轉為0.15微米；Infineon計劃升級至0.14微米；Elpida與台灣業者則計劃在年底前，導入0.15微米以下製程。