力晶半導體表示，已與日本三菱電機簽訂0.15與0.13微米製程技術，並將由三菱導入行動電話用低功率SRAM及Data Flash產品，藉以降低DRAM景氣波動對營運所帶來的衝擊。

力晶半導體總經理蔡國智表示，原本力晶就與三菱在0.18微米製程等方面合作，本次所簽訂的備忘錄確立2家公司的合作，將延續到未來5年內包括0.15與0.13微米等先進製程，預計明年第4季0.15五製程便可量產。也因此蔡國智表示，三菱與力晶將合力興建12吋晶圓廠，設備由力晶出資，三菱轉移技術，並享有部分產能使用權。蔡國智以「精神上持股各半」來形容合作關係。力晶預估二廠明年下半年或後年量產，持續生產DRAM等主力產品。