針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的廠商RF Micro Devices，Inc.宣佈計劃擴展其化合物半導體之製造產能，以支援該公司蜂巢式及多重市場產品事業群的成長預期。

由於該公司所鎖定的主要市場居於有利市場趨勢，RFMD預期其化合物半導體製程技術將呈現成長性的需求。在蜂巢式手機市場中，高度整合、多晶片傳輸模組及對於3G多模元件導入之所提高的接受度，預計將驅動對RFMD GaAs pHEMT及GaAs HBT之需求(包含AlGaAs HBT及InGaP HBT)。這些有利的市場趨勢，將要求更大量的複合半導體內容，並預計從2007-2012年，蜂巢式前端市場的五年複合年成長率將高於20%。

另外，以由RFMD多重市場產品事業群所服務的市場而言，預期轉移至802.11n(GaAs HBT及GaAs pHEMT)及對WiMAX(GaAs HBT及GaN的)日趨成長的採用性，將是增加化合物半導體內容及加速市場成長之主要動能。相較於現有技術，如矽LDMOS，RFMD的GaN製程技術已被認為是要求高功率、線性度及頻寬之應用的製程技術 。RFMD是GaAs HBT及GaAs pHEMT的全球最大製造商， 而該公司的GaN製程技術並將迅速發展商業生產。Strategy Analytics的GaAs及化合物半導體技術(GaAs)服務總監Asif Anwar表示：「RFMD持續滿足蜂巢式手機市場的需求，而這將繼續驅動RFMD的量能。RFMD同樣也發展了連貫性的多重市場策略，以透過GaN及GaAs pHEMT技術鎖定更高價值的市場區隔，並透過對於Sirenza的併購提議，延伸其IP及產品組合。此雙重”高容量-高價值”策略，將使該公司持續居於化合物半導體產業的前端。」

RFMD總裁暨執行Bob Bruggeworth長表示：「由RFMD所服務的市場正日漸成長，而RFMD正於這些市場中，提升其化合物半導體內容。我們的第三個晶圓廠將帶來更高的成長率，同時降低製造成本，並驅動營運獲益率之持續揚升。新廠完全之後， 我們的三廠加二廠， 將鎖定高量能的蜂巢式及運用GaAs HBT及GaAs pHEMT的WLAN前端產品，新廠同樣也將為生產晶圓等級封裝之SAW濾波器提供產能，並開發全新、下世代製程技術，以提供高整合度的前端功能性。而一廠則將鎖定於運用專業GaN、GaAs pHEMT及GaAs HBT技術的高價值多重市場產品。」