根據CNET網站報導，AMD日前發表一個實驗性的「三閘極」（3 gates）電晶體，希望為晶片找到一種既可提高效能又可省電的方法。在東京召開的國際固態電子零件及材料大會（International Conference on Solid State Devices and Materials）上，AMD討論了這項還在構思但尚未實現的電晶體技術，希望這種技術能夠解決未來晶片設計的困難。

半導體廠商正處於兩難的狀況，就是如何在不過熱或者是漏電過多之下，提高晶片速度。因此，晶片商正在重新考慮產品的基本構造，包括電晶體的結構――這是晶片內部的開關裝置。

AMD的處理技術開發副總裁Craig Sander表示，競爭讓我們必需這麼做。產業觀察家認為，雖然晶片結構已經變得更加複雜，但是在過去幾年裡製造商之間的競爭日趨激烈。在英特爾開發者論壇（Intel Developer Forum）上，英特爾總裁Paul Otellini展示的一張圖表顯示，1980年代晶片製造商在晶片製造中只使用元素週期表中的15個元素，而到現在已經使用了大約一半的元素。微處理器報告（Microprocessor Report）的主編Peter Glaskowsky強調，一些最新的元素是具有放射性的。

六月間，英特爾首次介紹了三閘極式的電晶體概念，但是在各個企業和大學的實驗室裏還有許多別的想法。在被討論的概念當中：用金屬氧化物代替傳統的矽閘，其功能是調解電流；為晶片增加絕緣層；使得矽網格發生物理張力讓電子移動速度增加。AMD也正在以鰭形的雙電晶體來代替三閘極式電晶體。

各家廠商解決問題的方法不盡相同。英特爾的Prescott晶片將於今年年底出貨給電腦製造商，該晶片將包括張力矽晶（strained silicon）技術，但英特爾還沒有在絕緣體上採用矽，這種方法宣稱可以減少漏電。相較之下，AMD和IBM已經在絕緣體中使用某種形式的矽，但是要到2005年以後才會採用張力矽晶技術。