諾發系統近日宣佈，該公司與東菲什克爾的IBM、紐約奧爾巴尼的紐約大學奈米科學與工程學院（CNSE），日前於CNSE的Albany奈米科技中心共同成立策略合作聯盟 ，將致力於發展22奈米以及更小世代的半導體製程技術的解決方案。

先進的45奈米和32奈米的半導體電路已進入量產，28奈米及更小世代的產品則正在進行開發。每進入一個更小的世代，就能促成體積更小、速度更快，並兼具更高效能的晶片，同時，也直接提高了產品的性能。受惠的對象則涵括伺服器至智慧型手機。

這個技術聯盟成立後的第一個專案，將發展使用於28奈米和22奈米製程的無殘留物先進光阻剝除技術。光阻剝除是半導體晶片佈線的關鍵技術，此次合作的範圍將包含一系列光阻剝除製程，包括高劑量植入光阻剝除製程相容於高介電金屬閘極的技術，以及對極低介電係數材料無損傷的化學蝕刻技術之發展。

諾發系統表示，IBM在半導體技術發展與製造的經驗和成就，可以幫助這個團隊加速在28奈米以及更小世代製程的開發。IBM位於East Fishkill的半導體工廠和CNSE學院的Albany奈米科技中心，將使用諾發系統的GxT先進光阻去除平台研發新的精密光阻剝除去應用。諾發系統在GxT平台上可表現出卓越的清洗效果，藉由導入特有的無氧化化學去除技術，成功實現了矽和氧化物損失小於0.1奈米的成果。CNSE學院則可在Albany奈米科技中心，提供第一流水準的技術人才與科技設施。