霍尼韋爾旗下的電子材料部宣布已與 Cabot 公司針對半導體產業的鉭(Ta) 材料與產品，簽署一項專利相互授權協議。本協議讓鉭金屬供應商 Cabot 公司與霍尼韋爾公司(專業製造用於生產半導體晶片的物理蒸氣沈積法 (PVD) 濺鍍靶材)雙方能夠更廣泛的利用鉭專利組合，為製造半導體的客戶提供更佳的服務。合併的專利組合包括14項與生產高純度鉭金屬和濺鍍靶材相關的專利。

霍尼韋爾電子材料部的副總裁兼總經理Barry Russell表示，「這項協議對霍尼韋爾和 Cabot 兩家公司而言，都具有非凡的意義，但更重要的是我們的客戶將是這項協議的最大受益者。透過這項協議霍尼韋爾能夠提供最先進的鉭金屬應用技術給半導體廠商，生產最優勢的晶片。」