在太空產業發展之際，林口長庚紀念醫院放射醫學研究所及長庚大學放射醫學研究院今（7/23）日與國研院太空中心簽署合作協議書（MOA），結盟齊力推動台灣發展太空計畫。長庚團隊將以高能質子模擬太空環境，在國研院太空中心的技術協助下，執行自主開發太空電子元件的抗輻射測試，可望大幅降低太空產業界發展與驗證太空元件的時程與成本，有助於台灣電子產業升級，躋身國際太空電子產業供應鏈。

林口長庚紀念醫院放射醫學研究所及長庚大學放射醫學研究院與國研院太空中心簽署合作協議書，圖為研究團隊合影。(攝影/陳復霞)

行政院今年1月15日核定第三期「太空科技長程發展計畫」，這項計畫自2019年至2028年共10年，由國研院太空中心負責執行，規劃發展10枚衛星。計畫主持人陳嘉瑞表示，從一期建置基礎能量，到二期建立初步自主太空研發能量，三期計畫則以建立台灣太空產業為重點項目之一，目標在於尖端技術養成、人才培育、產業擴散。

國研院太空中心提供酬載平台可整合太空電子元件設備及通訊系統，讓產學研界共同研發的太空關鍵元件，例如太陽能板、電池、電力控制、電腦等，能夠大幅運用在衛星計畫上，藉由密集的衛星發展，積極扶植台灣太空產業供應鏈。

隨著半導體製程的快速演進，輻射效應的影響層面亦有不同，長庚大學放射醫學研究院醫學物理研究中心主任趙自強表示，現今對於半導體輻射效應的基礎研究已有落差。高能質子的研究涵蓋奈微劑量學、奈微電子學，研究合作主題將著重於下列幾項:利用質子測試微電子元件的太空輻射效應、設計微電子元件的抗高能質子保護元件、太空輻射的宇宙射線研究，以及生物研究的衛星實驗。

林口長庚醫院粒子物理暨照射核心實驗室主任林倩?(Chien-Yu Lin)說明，要符合商用或軍規使用的微晶片、電子產品，必須經過嚴格的抗輻射測試，以確保產品不受到高能粒子影響而造成訊號錯誤或失效。其原因在於太空環境險峻，各種輻射及高能粒子照射在矽晶片上，會形成不可預測的電流，改變電子元件的信號而造成系統功能失常，甚至可能造成電子元件損壞，使衛星無法執行任務。因此，太空級電子元件具有抗輻射能力是必要的。雖然電子元件都有降低輻射影響的保護設計，但最好是在地面時即通過類似太空環境的先行測試，挑選出具抗輻射能力的電子元件，才能保證衛星可在太空中正確執行任務不出錯。

林口長庚醫院質子暨放射治療中心配置粒子物理暨照射核心實驗室，作為研究用途。林主任表示，高能質子照射除了應用於醫學研究外，還可應用於電子業、太空產業、國防及通訊業等，這座高能質子實驗室具備多功能研究用質子照射平台，可提供更穩定的射束及更具彈性的照射條件進行抗輻射測試。能夠協助基礎輻射生物醫學，以及發展航太科技產業。

國研院太空中心將積極協助廠商投入太空元件發展，同時努力建立台灣太空元件驗證平台，除了充分運用太空中心本身各項環境測試設備外，也讓產學研界發展的太空電子元件可利用實驗室之質子照射平台進行抗輻射的驗證與篩選，不再需要像過去必須遠送歐美先進國家進行測試，藉以大幅節省國產太空元件的研發時程和成本。未來國研院太空中心、林口長庚醫院及長庚大學團隊將合作強化本土太空輻射環境測試能量。

圖說: 簽約儀式由國研院太空中心林俊良主任、長庚醫療體系質子暨放射醫療中心召集人洪志宏副院長、長庚大學放射醫學研究院董傳中院長代表簽署，國家實驗研究院王永和院長、長庚決策委員會主任委員兼林口長庚醫院程文俊院長、長庚大學包家駒校長在場見證，並與研究團隊合影。(攝影/陳復霞)