中國晶圓代工廠華虹半導體宣佈，其第二代0.18微米5V/40V BCD製程平臺已成功量產，該平臺具有導通電阻低、高壓種類全、光刻層數少等優勢，非常適合於工業控制應用和DC-DC轉換器。

第二代0.18微米5V/40V BCD製程平臺40V DMOS擊穿電壓達到52V，其導通電阻低至 20 mOhm.mm2，達到該節點領先水準，可提高產品的驅動能力，減小晶片面積，擴大高壓管安全工作區（Safe-Operation-Area, SOA），保證產品的高可靠性。

該製程平臺最少光罩層數為18層。該平臺提供豐富的可選元件，包括高阻、電容、Zener二極體、肖特基二極體等。

此外，該平臺還提供in-house設計的標準單元庫、SRAM編譯器、IO和eFuse，從而為電源管理晶片提供完善的設計解決方案。目前已完成應用於電機驅動、快充、通訊、安防、DC-DC、LDO等多個領域晶片產品的驗證，並成功進入量產。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示，華虹半導體一直將電源管理平臺視作研發的重點之一，第二代0.18微米5V/40V BCD量產標誌著我們在PMIC領域的核心競爭力再度提升。展望未來，我們還將持續拓展更先進的智慧電源管理平臺，為客戶提供差異化技術的競爭優勢。