爲了突破半導體性能與集積度的極限，歐盟委員會決定對歐洲共同專案“NANOCMOS”提供資金援助。該專案將致力於材料、製程、元件及佈線等領域的技術突破。

據日經BP社消息，目前參加該專案的企業除歐洲三大半導體公司 - 德國英飛淩科技（Infineon Technologies）、荷蘭飛利浦電子、意法半導體之外，還有法國原子能部電子技術資訊研究所（CEA Leti）、比利時IMEC、德國弗勞恩霍夫協會（FhG）旗下的三個研究所、法國國立科學研究中心（CNRS）旗下的八個研究所、德國獨開姆尼斯工科大學的研究所。此外，法國Ion Beam Services、德國ISILTEC、比利時Magwel公司也參加了這一專案。負責專案管理業務的是法國ACIES Europe。

NANOCMOS專案第一階段將耗時27個月，並將在2005年對在邏輯LSI技術節點上採用45nm（相當於hp65）製程的可行性進行論證。除歐盟委員會贊助2400萬歐元之外，各專案成員也將進行研究投資以實現專案目標。

第二階段於2006年開始，將對實現32nm及22nm製程的可行性進行驗證。專案成員計劃向歐洲的研究組織--MEDEA+提議從2006年開始在300mm晶圓生産設備中採用45nm技術節點並進行評估。從目前來看，可能會選擇摩托羅拉、飛利浦、意法半導體三公司共同投資的法國Crolles第二工廠。