據經濟日報報導，英飛凌將增加大中華地區的投資及結盟夥伴，預計2006年DRAM代工比率達五成，以降低價格風險，奪取全球25％市場。英飛凌記憶體執行長艾格司表示，今年英飛凌DRAM自製率為80％，而將由2004年開始委交中芯上海及北京12吋廠代工的DRA-M，月產為6萬片，與南科合資的華亞12吋廠也開始投產，加上華邦電月產2萬片，DRAM代工比重將逐月升高。

該報導指出，按照英飛凌的大中華布局，DRAM製程研發合作夥伴以南亞科技為主，鎖定90及70奈米高階製程; 代工夥伴在桃園、新竹、上海、北京四個城市，主要代工廠商為華亞、華邦電、中芯上海及北京廠。 至於與茂矽合資的茂德科技，英飛凌已經逐步出脫持股，終止合作關係。

此外，英飛凌也宣布在蘇州成立封裝測試廠，總投資額10億美元，並於西安設立研發中心，擴大記憶體、通訊及消費性IC研發。艾格司表示，英飛凌除了產銷DRAM，也積極進入快閃記憶體領域，合資對象為以色列Sai-fun，未來將推出NAND型快閃記憶體，搶攻IA產品儲存市場。艾格司預計五年內，取得大陸40％的記憶體市場，並增加通訊、消費性晶片市占率。