半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）已簽署收購法國氮化鎵（GaN）創新企業Exagan多數股權的併購協議。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率GaN的研發和業務。Exagan將繼續執行現有產品規劃，意法半導體則將為其部署產品提供支援。

意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery表示，「意法半導體的碳化矽發展佈局具備強大的動能，現在我們正擴大對另一種前景看好之複合材料－氮化鎵的投入，以促進車用、工業和消費性市場客戶採用GaN功率產品。收購Exagan的多數股權可強化公司在全球功率半導體市場的領先地位，同時也是我們對於GaN長遠規劃、生態系統和業務向前邁出的另一步。這是目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發專案，還有近期宣布與台積電合作專案的另個成果。」

氮化鎵（GaN）屬於寬帶隙（Ｗide Bandgap，WBG）材料家族，其中包括碳化矽。GaN基板材料是高頻功率電子元產業的一大進步，其效能和功率密度優於矽基電晶體， GaN基板元件節能省電、縮減系統大小。GaN元件適合各種應用，例如，伺服器、電信和工業用功率因數校正和DC/DC轉換器；電動汽車車載充電器和車規DC-DC轉換器，以及電源適配器等個人電子應用。