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聯電宣布與INFINEON合資興建十二吋晶圓廠
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2000年12月15日 星期五

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聯電今(15)日上午十點,在新加坡宣布與INFINEON合資高達三十六億美元興建十二吋晶圓廠,顯示出半導體大廠用實際鉅額投資十二吋廠的決策,也間接彰顯了政策面開放八吋廠的政策,已落後於產業界發展的步調。

聯電指出,十二吋廠未來的生產成本將遠低於八吋廠,產出規模更為八吋廠的一倍至二倍大,視各廠規劃而訂。聯電目前除在南科興建十二吋廠之外,與日本日立合資成立的Trecenti Technologies,也已在日前正式宣布成功產出第一批十二吋晶圓。

而今天上午更直接在新加坡宣布,要與INFINEON合資高達三十六億美元,折合約新台幣一千二百億元興建十二吋晶圓廠。十二吋廠的運轉如達一定水準,未來用十二吋廠生產一顆DRAM的成本較八吋廠便宜30%,聯電不可能再去大陸蓋競爭力較低的八吋廠。

關鍵字: 晶圓廠  聯電  INFINEON(英飛凌
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