KLA 公司宣佈推出 Axion T2000 X射線量測系統，供先進的記憶體晶片製造商使用。3D NAND 及 DRAM 晶片的製造包含極高結構之精密構造，具有深層、狹窄的孔洞和間隙，以及其它複雜精細的建構形狀：這些都需要控制在奈米尺度的等級。Axion T2000 具有可增強其量測高長寬比裝置之專利技術，具備高解析度、準確度、精確度和速度之組合。Axion T2000 透過發現能影響記憶體晶片性能的微小形狀異常 ，有助於確保成功生產用於像是 5G、人工智慧（AI）、資料中心和邊緣運算等應用之記憶體晶片。

KLA 的新型 Axion T2000 X射線量測系統可識別出微小的 3D 形狀異常，這種異常會影響記憶體裝置的功能或性能。

KLA 半導體製程控制業務事業單位總裁Ahmad Khan?，新型 Axion T2000 X射線量測系統是先進的 3D NAND 和 DRAM 中，製程控制規則的改變者。Axion T2000 使用穿透式 X射線技術，可視覺化到 100:1 或更高長寬比的 3D結構 。從這些極端垂直結構的頂部到最底部，Axion 資料可使製程裡的關鍵參數提供更嚴格控制，例如寬度、外形和傾斜度。此外，透過產線上即時量測，Axion 還可在大批量生產記憶體晶片時，在解決良率和可靠性問題時，可縮短所需的產品週期時間。」

Axion T2000 是一款 CD-SAXS（關鍵尺寸小角度 X射線散射）系統，可利用獨特的 X射線技術，對記憶體裝置的關鍵尺寸和 3D 外形進行高解析度的量測。高通量光源可提供X射線在整個垂直記憶體結構中傳導 ，無論其現今結構的高度，或未來更高的結構，皆可進行量測。Axion T2000具備領先業界的量測範圍，能協助在多個角度獲取衍射影像，提供豐富的 3D 幾何資訊。先進的 AcuShape 演算法，可量測許多關鍵裝置製程參數以及微小變異的偵測，能影響記憶體晶片的最終功能。根據以上的創新技術，Axion T2000 能以非破壞性的方式，協助記憶體製造商優化、監測和控制線上製程步驟所需的量測資料。

目前已有多套系統在頂尖的記憶體製造商中運轉，Axion T2000 加入了 KLA 的先進 量測系統家族，為 3D NAND 和 DRAM 製造商提供複雜製程參數的精確量測。從早期研發階段到批量生產之完整範圍量測，KLA 的完整的量測組合所產生的訊息可促進產能增長、提昇產品品質和提升生產良率。