意法半導體與工程基板供應商Soitec，宣佈雙方共同簽署一項獨家合作協議。根據此協議，兩家公司將合作開發300微米晶圓級背光（BSI，Backside-illumination）技術，為消費性電子產品打造新一代影像感測器。

隨著先進影像感測技術解析度的不斷提升，以及市場對縮減相機模組整體尺寸的迫切需求，尤其是消費性電子市場，廠商急需開發單位畫素尺寸更小，同時還能保持畫素靈敏度及高畫質的影像技術。而背光技術將是新一代影像感測器開發過程中的關鍵要素。

兩家公司此次簽署的合作內容包括：Soitec授權意法半導體在300微米晶圓上，使用Smart Stacking接合技術製造背光感測器。該技術由Soitec公司的Tracit事業部門，運用分子接合技術和機械與化學薄化技術開發而成。意法半導體將運用此技術及本身的先進65奈米以下衍生性CMOS製程技術，開發新一代影像感測器，並在位於法國南部Crolles的300微米晶圓製造廠生產。結合意法半導體先進的晶圓製造能力，Smart Stacking技術將有助於意法半導體加強在高性能行動消費性電子影像感測器開發與供應的市場領導地位。