華邦電子規劃明年運用8吋廠0.175微米製程，投片生產高密度快閃記憶體 (Flash)，預計製程技術將超過旺宏；Atmel控告華邦侵權案，可望於12月16日宣判，華邦電上訴成功將獲得每顆0.7美元的保證金退回。

華邦電表示，該公司近期與外商業者簽訂Flash開發製造合約，正式引進高密度Flash生產技術 (NAND及NOR)，預計明年以0.175微米製程試產資料儲存型 (Data)及指令存取型(Code)Flash，製程與英特爾相當。

目前華邦電Flash產品尚屬低階，由華邦一、二廠 (5吋及6吋廠)產出，製程為0.5微米以上，銷售美國比率僅占3%左右；四、五廠月產能3萬片，明年加入Flash投片後，有充裕產能及製程技術發展32Mb以上高密度產品。