晶圓代工大廠台積電宣佈，已成功為客戶試產65奈米嵌入式動態隨機存取記憶體（embedded DRAM）產品，此一產品DRAM容量達數百萬位元級，且首批產品晶片就通過功能驗證。參與該計劃的繪圖晶片大廠NVIDIA表示，此一製程已通過驗證，將可成為NVIDIA手持式繪圖晶片最佳生產平台。

台積電去年第一季就開始為客戶生產90奈米嵌入式DRAM產品，並提供客戶多種由台積電自行開發的記憶體巨集，現在則正式成功試產65奈米嵌入式DRAM。

台積電表示，該公司採用12吋晶圓生產的65奈米製程技術，是連續第三代同時採用銅製程及低介電質技術。此一製程使用九層金屬連線，運作電壓為1伏特或1.2伏特，輸入/輸出電壓為1.8伏特、2.5伏特或3.3伏特。與先前一代的90奈米製程技術相較，65奈米製程技術的標準元件密度增為兩倍；六電晶體存取記憶體（6T SRAM）以及嵌入式單晶體動態隨機存取記憶體（1T embedded DRAM）的元件面積亦顯著縮小。

此外台積電亦可提供混合信號製程及射頻製程以支援類比及無線產品應用，提供嵌入式高密度記憶體製程支援邏輯及記憶體製程整合，另外也提供電子熔線（electrical fuse）製程，以滿足客戶晶片加密的需求。該公司稍早前亦宣佈可透過設計支援產業生態環境（Design Support Ecosystem），提供客戶符合可製造性設計（DFM）的65奈米晶片設計相關產品與服務、設計參考流程6.0版（Reference Flow 6.0）以及相關元件資料庫及矽智財，以縮短產品設計時程。