飞利浦半导体日前宣布成功研发出一项新的制程技术，能够提供比竞争技术更低的成本来生产新一代行动通讯产品用高效能芯片。

代号为QUBiC4的新制程技术让飞利浦能够生产符合先进行动网络高速与低耗电需求的BiCMOS制程全硅化的射频芯片产品，在QUBiC4技术推出之前，要达到这样的效能要求必须要使用相当昂贵的制程，如硅锗(SiGe)等。QUBiC4可以为现有的移动电话以及未来的第三代(3G)行动通讯技术带来上市更快且成本更低的好处，同时带来先进的无线应用，包括传讯、网络浏览与串流视讯等。

「在行动通讯市场，成本是相当主要的考虑，而导入先进行动通讯服务的主要关键则在于成本的控制，」Cahners In-Stat Group分析师Allen Nogee指出，「飞利浦半导体针对RF芯片所开发的新QUBiC4制程将带给移动电话制造商能够以吸引人的价格提供先进产品的弹性。」

「以成本考虑，，只要能够提供所需的效能，移动电话制造商比较喜欢全硅化的解决方案，」飞利半导体先进技术总监Neil Morris表示，「透过QUBiC4制程技术的推出，我们将能够提供给客户开发新一代3G手机与设备的全硅化解决方案选择，而且不需要牺性效能与可靠度的要求。」

QUBiC4为飞利浦半导体最新一代的"Quality BiCOMS"(QUBiC)制程技术，这项技术已经帮助飞利浦半导体在全球行动通信业界赢得RF技术领导供货商的声誉，QUBiC4的目标市场为采用业界最新无线通信标准，如GSM, DECT, CDMA 与 WCDMA等的手机制造商。

飞利浦半导体目前已经将QUBiC4导入商业生产，标准化产品预计在2001年第三季推出，目前也已经提供给业界领先的行动通讯公司采用新制程的测试芯片，同时实际的产品设计也已经在进行中，此外，飞利浦半导体也开发了能够符合制造商客户最新需求的设计组件库与仿真工具。

为了满足预计将会有大量市场需求的QUBiC4芯片产品，飞利浦半导体已经在产能扩充上做了大笔的投资，并在位于新墨西哥州的Albuquerque与纽约州的 Fishkill的晶圆厂加入新的QUBiC4制程支持。

飞利浦半导体的QUBiC4技术将能够提供符合3G行动网络与先进多模式手机产品的需求，同时飞利浦半导体也正进行能够让需要更高数据传输率，如无线网络WLAN(Wireless LAN)等应用降低成本解决方案的开发，目前已经完成QUBiC4制程的硅锗(SiGe)版本来满足这样的需求。「在我们先进的RF产品蓝图上同时拥有硅与硅锗技术，将能够让我们提供给客户在产品技术复杂度与成本考虑上的弹性选择。」Morris指出。