功率半导体领导厂商英飞凌科技公司日前于美国巴尔地摩举办的全球功率系统展中发表两款新产品:一、金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)之CoolMOSTMCP系列，此乃英飞凌再度扩充针对高效率电源供应器使用的芯片产品组合，可用于电信产品、笔记本电脑以及消费性家电中；其功能特性和之前推出的CoolMOS CS系列一样，都具有业界最低的开启状态(on-state)电阻值。二、TDA21801风扇速度控制器IC，可用来制作具弹性且低成本的系统，以控制各种电源供应器装置中的冷却风扇速度，例如在个人计算机、服务器与工业和医疗设备等高阶电子设备。

CoolMOS CP MOSFET是针对中功率电源供应器中的PFC(Power Factor Correction功率因素修正)电路和PWM(Pulse Width Modulation脉冲宽度调制)电路而设计的，可应用在电信、笔记本电脑电源转换器、以及消费性产品中的电源供应器等。CoolMOS CP MOSFET采用各种不同的封装型式，并具备600V的电压阻隔能力。设计工程师利用其极低开启状态电阻值和低闸门电荷(gate charge)，可以大量降低电源供应器的导通和开关切换损耗。例如，在400V时的电容性损失可降低至25%。由于降低导通和开关切换损耗后可以增加效率，并让工程师增加系统的操作频率，因而产生尺寸精巧的高效率电源供应器。 另一方面，工程师也能在不改变其他设计的情况下增加电源输出，因此能降低每瓦特的系统成本。

在取得克服硅晶效益限制的技术性突破后，英飞凌CoolMOS产品达到了业界最低开启状态之电阻值，因而增加电源供应器之效率，降低系统成本。该600V CoolMOS CP家族产品能够达到一个大约2.4Ωmm2(ohms X 硅晶面积之厘米平方)特定区域的Figure of Merit (FOM，其定义为开启状态电阻值乘以硅晶面积)。因此，CoolMOS CP设计可达到125mΩ至385mΩ的开启状态电阻值，实际阻值依采用之封装而定。