Fairchild Semiconductor宣布与北卡罗来纳州的Silicon Wireless合作，注资成立新技术结盟关系。新合作计划有助美国快捷与Silicon Wireless共同开发制造和营销RF功率半导体，象征美国快捷半导体公司拓展另一新商机。

美国快捷现为全球价值70亿美元功率晶体管市场的先导供货商，也是业内离散市场增长最快速的部分。正当美国快捷在这个市场其中价值30亿美元的功率MOSFET市场中享受领先地位，与Silicon Wireless的合作计划则进一步为公司开拓快速发展的功率晶体管市场。据SIA(Semiconductor Industry Association)预计RF功率晶体管于2000年增长达100%，2001年市场价值达15亿美元。这是由于受流动电话和局域网络用无线基站需求刺激带动市场迅速发展。

据美国快捷离散功率及信号技术部门高级副总裁及总经理Izak Bencuya表示，一般估计未来三年无线基站市场发展快速，新基站数目将增加至530个，美国快捷将专注继续透过领先科技开发种类繁多的新品。公司跟Silicon Wireless的合作计划将为快速增长的市场提供更多元化的新品。

Silicon Wireless公司由B.Jayant Baliga博士创立，主要为其专利RF半导体技术推广至无线市场。Baliga博士曾被Scientific American评为半导体革命八大英雄之一，获国际推崇为功率半导体工业的代表人物。Baliga博士是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的发明人，著作达10本，并曾在550本科技杂志发表文章，拥有100项以上美国产品专利。

Baliga博士表示，Silicon Wireless将在这个业界重要时刻与美国快捷保持紧密合作，而公司的架构令他们能专心开发新一代技术，与业内翘楚如美国快捷相辅相成，为市场以最快速度提供最可靠的解决方案。

美国快捷于这次合作计划将投资现金、R&D和营销资源约1千万美元予Silicon Wireless公司。而Silicon Wireless公司则会直接与美国快捷的离散功率和信息技术部门合作科研。根据合作协议内容，美国快捷将拥有制造及销售相关产品的特许权利，而Silicon Wireless公司则可制造和销售其专利RF功率放大模块产品技术。