旺宏电子（Macronix）董事会昨日决议通过，将与IBM签订合约，继续进行「相变化记忆体（PCM）」的合作开发。双方将共同分担研发费用，为期3年，合约计画期间为明年1月22日至2022年1月21日。

2015年旺宏便与IBM共同发表了一颗使用90奈米制程容量为512Mb的相变化记忆体样品。

而双方合作的目标，就是要持续研发所谓「存储级记忆体（Storage Class Memory）」的技术。

储存级记忆体技术是IBM在2008年所提出，它是一种在DRAM和NAND Flash SSD之间的新记忆体，能进一步提升电脑的处理效能。

旺宏电子曾在《奈米通讯》里指出，储存级记忆体有两种形式，一种是偏DRAM，称之为记忆型式存储级记忆体（Memory Type Storage Class Memory），这种形式会跟DRAM一起工作，DRAM可将资料先行储存在记忆型式存储级记忆体，以解决DRAM不具有挥发性的问题。

另一种形式则是比较偏向固态硬碟，是取代目前的固态硬碟，其名称为储存型式存储级记忆体（Storage Type Storage Class Memory），但这种形式的记忆容量要追上目前以NAND为基础的固态硬碟已是不太可能。

也因此，旺宏电子希??发展的产品应用，便是记忆形式的储存级记忆体。

在目前的前瞻记忆体技术里，包含磁性记忆体（MRAM）、相变化记忆体（PCM）、电阻式记忆体（RRAM）等。旺宏则是看好PCM的应用潜力，并与IBM合作，共同研发相关的技术。

2014年时，IBM就在国际电子元件会议（Internationlectron Device Meeting）中，提出了PCM具有做为储存式记忆体具的潜力。

隔年，2015年的超大型积体技术及电路研讨会（Symposia on VLSI Technology and Circuits）上，旺宏便与IBM共同发表了一颗使用90奈米制程容量为512Mb的相变化记忆体样品。

旺宏指出，降低成本是发展PCM的最大挑战，但多值化操作将可以有效的降低成本。此外，多值化操作也可使记忆体的记忆容量大幅提升，但记忆体的元件效能将会有所减损。不过使用目前制程技术的样品已展现极隹的性能，看好PCM有机会做为存储级记忆体的应用。