ST与Hynix半导体两家半导体制造商继2004年11月16日签署了策略联盟合约后，日前为中国江苏省无钖设立的首座前端内存制造厂举行了奠基仪式，包括无钖市政府、地方官员，以及中国与韩国的国家官员均参与这项典礼。

这座新的晶圆厂将制造DRAM与NAND型闪存，除拓展ST与Hynix的合作关系外，也为两家公司进入快速成长的中国市场拉开序幕。这座晶圆厂将使ST对关键客户提供更良好的服务，特别在电信与消费性市场，ST将可在单一封装中，以领先的技术与极具竞争力的价格提供完整的内存、多媒体处理器与系统解决方案。特别的是，这座晶圆厂将使ST得以切入高性能、低成本DRAM芯片市场，进一步提升其MCP（多芯片封装）堆栈式内存与SiP（系统级封装）解决方案的产能。这项策略联盟预计也将成为Hynix提升其长期竞争力的稳固基础，从而让该公司以最小的投资获得12吋晶圆厂产能、运用低成本制造环境，并维持其在快速成长之中国市场的领先地位。这座新的半导体厂同时将为Hynix提供全球性制造能力，解决其产品在美国与欧洲面临的贸易问题。

ST董事长暨CEO Carlo Bozotti表示：「中国半导体市场目前约占全球的15%，到2008年以前，预计将以每年20%的幅度成长。透过这项策略联盟，ST将进一步强化在全球半导体市场上的整合能力。ST与Hynix已经在制程及产品开发上运用双方技术地成功地实现了合作，这个位在无钖的新厂将使目前已经是中国第二大半导体供货商的ST进一步增强在全球的竞争力。」