外电消息报导，韩国海力士(Hynix)半导体日前表示，该公司已为手机及其他便携设备开发出一种高速的内存技术。该芯片的数据处理速度最高可达1000兆。

为了积极抢攻内存市场，海力士不断的在其制程技术上创新，自去年第四季开始，海力士已采用66奈米制程生产内存芯片。并预计在今年下半年之后，开始进入50奈米。

海力士表示，新的内存芯片的数据处理能力可达每秒钟800兆Bit，超过目前市场上的所有芯片。该公司表示，现有市场上各类的可携式设备对高储存密度及高处理效能有极高需求，而此芯片设计正好符合此市场需求。而此芯片将于今年第四季投入量产，型号为LPDDR2。

虽然海力士不断提升其技术，但目前内存的市场仍未好转。据报导，许多厂商因预期内存价格将会上扬，因此在2008年初囤积了大量库存，但由于价格并未如预期转扬，目前供过于求的情况已经开始逐渐显现。