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NEC研发晶体管 闸极宽度挑战5奈米
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2000年07月19日 星期三

浏览人次:【2524】

日本NEC基础研究所去年开发出闸极宽度仅8奈米的全球最小晶体管,因此理论上应可制造出10兆位(Tera bit)的内存,相当于1000万份报纸的信息量,接下来的挑战目标是5奈米。

在晶体管内,电子由源极流向泄极,途中的闸极会控制电子流。闸极愈窄,通过的电波愈难控制。如果能研究出闸极到多窄的程度会无法控制电子流,应该就能知道硅半导体的极限。

位于茨城县筑波市的NEC基础研究所认为在常温下,5奈米是控制电子流的极限。制程技术使用的电子束直径为5奈米,理论上现在的方法应该能开发出闸极宽度为5奈米的电晶体。

關鍵字: 晶体管  NEC 
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