日月光半导体于9日宣布8吋晶圆电镀技术研发成功，并已进入试产阶段，成为​​同时具备印刷与电镀凸块技术之封装厂商。预计第一阶段月产能达10,000片。随着覆晶封装在2002年开始显著成长，以及未来大部分0.13微米以下制程产出的晶片都会采用覆晶封装的趋势，凸块技术的需求量也相应不断攀升。根据美国半导体封装顾问公司TechSearch预测显示，使用电镀凸块技术的8吋晶圆产能会从今年的6,410,000片，到2005年时会成长2倍至12,688,000片。以目前晶圆凸块制程而言，可分为印刷技术和电镀技术，两者技术各擅胜场。就电镀技术而言，其优势为能提供更佳的线宽(pitch)能力和凸块之平面度，可提供较大的晶片面积(die size)，同时电镀凸块技术适合高铅制程的特性，更可大幅提高晶片(die)的可靠度，增加晶片的强度与运作效能，相当适用于覆晶技术制程上，而日月光的电镀凸块技术能力，可让每颗晶片的锡球数量高达3,000颗。

日月光半导体研发副总经理李俊哲表示，「由于覆晶技术能满足高阶系统产品发展需求，在未来的高阶晶片市场之重要性与日俱增，加上晶圆制造已迈入0.13微米制程，更使得覆晶封装炙手可热。以目前仍属主流的8吋晶圆而言，封装厂商如能同时掌握印刷与电镀两大技术，对于迈向高阶市场发展具有指标性的意义。而对日月光而言，更能强化一元化覆晶封装服务模式之完整性。」

李俊哲进一步指出，「迈向高阶制程技术发展始终是日月光拓展全球市场的竞争策略，此次我们将广泛应用于高阶产品之8吋晶圆电镀技术研发成功，不仅证明日月光在自行开发与流程控管上之高度实力，更可让更多客户受惠于我们多元的先进技术之应用，针对不同产品制程需求而选择适用之凸块封装技术，获得最佳的客制化服务。」