力旺电子宣布，0.13微米先进嵌入式可程序非挥发性内存技术在台积电进入量产，成功将逻辑制程及高压制程之嵌入式非挥发性内存技术推进到更先进制程领域。经由客户的优先采用，欧洲、美国、台湾、大陆等地区，均已有客户稳定量产，产品线涵盖小面板显示器驱动芯片、数字电视、视频转换器、GPS、影像控制芯片、导航系统等消费性电子产品。

0.13微米先进制程量产之晶圆颗粒可达0.18微米制程产量之1.5倍至2倍，目前小面板显示器驱动芯片之量产，仍多采用0.18或0.16微米制程，基于产业技术之发展与市场需求之考虑，晶圆代工厂近两年已积极进行0.13um微米高压制程之开发。针对市场对先进制程之需求，力旺电子在台积电完成0.13微米先进嵌入式可程序非挥发性内存技术之导入与量产，先前台积电发表之0.13微米高压制程所使用之新颖Fuse OTP，即为力旺之OTP。力旺电子0.13微米OTP已于台积电0.13微米1.5伏特/6伏特/32伏特高压制程平台成功完成建构，可提供高效能小面板显示器驱动芯片量产应用，有效精进成本效益与生产效能，并大幅提升客户产品之竞争力。0.13微米Neobit先进制程技术于高效能小面板显示器驱动芯片之应用效益相当显著，导入量产迄今即已超过千片以上芯片顺利出货。