由于全球各DRAM厂纷纷大幅投资兴建12吋晶圆新厂或扩充12吋产能，为消化原有的8吋厂产能，各家业者也陆续制定策略，纷纷以推出多样化产品线或是增加代工比重来增加DRAM之外的营收，而由于消费性电子需求量大，这些策略为业者带来不少额外营收成长。

韩国三星是以NAND Flash（闪存）做为消化产能策略，该公司NAND Flash产出在2003年成长180％，且受到平均产品价格每季下跌20％的影响，2004年产出预计更将增加180％。而在NAND Flash产出成长量远大于DRAM的情况下，三星的NAND Flash出货量将在今年第4季超越DRAM。在非DRAM营收部份的增长，今年预期将从去年的33％提升到48％。

另一家韩国内存业者Hynix也分拨更多产能在system IC及NAND Flash的生产上，在该公司今年第2季的营收报告里，system IC占该公司整体营收的17％，而SRAM/Flash比重则有5％。美商美光的非DRAM部门则占总体营收的15％，而其中有很大的部份是来自CMOS传感器，该公司预测今年手机用CMOS传感器销售量将达4000至6000万颗。

台湾DRAM厂部分，力晶则计划提拨4成产能从事代工来增加非DRAM部份的营收，并持续增加产品种类，跨足消费性RAM、ASIC、CMOS、Flash及system IC等。茂德也致力增加代工比重，南亚科技则仍将主力放在标准型DRAM上，其今年代工比重只占产能的一成。