国内晶圆厂制程竞赛分为两部份：一为由0.13微米跨入0.1微米；另为12吋晶圆厂进入商业量产阶段，除动态随机存取内存 (DRAM)技术仍仰赖技转外，台积电、联电自行研发的制程技术正式追上美、日大厂。

国际大厂今年也纷纷投入奈米研究。超威（AMD）去年底成功开发速度最快的CMOS晶体管，闸长仅15奈米，未来将运用此技术开发新世代处理器，速度将提升十倍。英特尔才宣布成功开发Tera Hertz（兆赫）晶体管，晶体管每秒开关可达1兆次以上，闸门为15奈米，其芯片密度在2005年至2010年间，将达到10亿个晶体管水平。

由于景气复苏在望，台积电已于晶圆四厂展开0.1微米制程验证，预计今年第二季投产，并导入12吋晶圆厂。联电则加快0.1微米的布局，新任技术长温清章衔命于今年第一季，完成新制程的验证。

至于华邦、茂德、力晶及南亚科技等DRAM厂，今年也将逐步解决技转来源问题，华邦、茂德可望源自德国亿恒，至于南科则与与IBM合作，力晶则扩大与日本三菱的技转领域，从DRAM、闪存到逻辑代工。