廿二日于首届Ⅲ／Ⅴ族半导体策略论坛中，产官学界首度达成一致共识，将以现有Ⅲ／Ⅴ族芯片制造厂为主体成立联盟，并与既有IC半导体相关业者整合组成「Ⅲ／Ⅴ族制程设备旗舰公司」，负责提供芯片制造厂所需生产设备；未来联盟将会以无线通信组件为基础，发展为通讯（无线与光通讯）、奈米、微机电与生物芯片的共同平台，并有意以磷化铟（InP）制程为优先研发考虑。

首届Ⅲ／Ⅴ族半导体策略论坛中，包括经济部技术处与国内所有Ⅲ／Ⅴ族半导体晶圆代工厂，已就相关制程设备自主化达成共识。未来前段晶圆生产设备的部份，将以改善现有制程技术瓶颈（如晶圆薄化）为优先，进而研究可取代现有昂贵却不易掌控的新制程（如分离Demounting）等。

在后段封装设备方面，则将配合Ⅲ／Ⅴ晶圆高密度及薄形化的趋势，发展微小薄形芯片（Die）的覆晶构装设备，而由于目前Ⅲ／Ⅴ设备的自动化程度仍只有近七○％，因此发展自动化机械界面也是业界人士共同心声。经济部技术处于会末并具体的将晶背制程设备、金薄膜电镀设备、干蚀刻机与晶圆薄化设备等近二十个项目列为优先发展项目。