FSI International宣布，具备ViPR技术的FSI ZETA Spray Cleaning System喷雾式清洗系统已获国际论文验证，是超高剂量电浆辅助掺杂（PLAD）离子植入整合时的关键步骤。此一论文是于今年6月8至13日在美国加州蒙特利举行的第十七届国际离子布植技术学术研讨会期间，由Hynix、Varian、Nanometrics与FSI四大厂商所共同发表。对于因曝露在高剂量离子轰击(ion bombardment)的硬化光阻而言，ViPR制程拥有优异的移除能力，同时不会像传统技术一样造成表面损害与材料损失。

「此一产品的成功令我们深感振奋，特别是ViPR技术在促成像是双多晶闸极DRAM之类关键性高剂量应用时所扮演的重要角色。」FSI主席暨执行长Don Mitchell表示，「我们不仅可大幅减少因wet-ash-wet多步骤制程造成的材料损失，藉由使用单步骤制程，更可降低成本、时间以及制程的复杂性。」

电浆辅助掺杂离子植入技术可协助制造厂商持续缩小组件尺寸；然而，传统的ash-wet制程却会使得光阻难以移除。过去用以解决此一问题的wet-ash-wet三步骤制程则会在后续制程中造成无法接受的材料损失。FSI的专利ViPR技术是一种单步骤全湿式的制程，可提高晶圆的化学温度与反应，以全面移除由电浆辅助掺杂制程所产生的光阻与多掺杂物表面层，同时保留最多的掺杂物。免除灰化与灰化清洗步骤不仅可使制程更快更简单，更可降低总持有成本。

有关本文描述的技术信息出自第十七届国际离子布植技术学术研讨会论文集中由Y. Jeon等人合着的「超高剂量CMOS应用的关键技术」一文；而此一论文的摘要可透过FSI 网站 http://www.fsi-intl.com/press/itt_paper_req.php取得。至于完整论文将刊登于美国物理学会（American Institute of Physics）2008年秋季大会论文集。