更高效率、功率密度、更精巧的尺寸和更低的系统成本：这些都是碳化矽 (SiC) 电晶体的主要优点。英飞凌科技(Infineon) 於去年PCIM展会发表的全SiC模组EASY 1B产品进入量产。在今年德国纽伦堡PCIM展会上，英飞凌展示了其他1200 V CoolSiC MOSFET系列的模组平台和拓朴，将碳化矽技术的潜力发挥到全新境界。

全SiC模组EASY 1B (半桥式/升压式) 产品进入量产。

英飞凌工业电源控制事业处总裁Peter Wawer博士表示：「碳化矽已经来到一个转捩点：考量其成本效益分析，这项技术已准备好投入各种应用领域。然而，要让这项全新的半导体技术成为革命性且可靠的产品，需要英飞凌这样的合作夥伴：针对应用量身打造的产品、公司自身的产能、全方位的技术组合和技术方面的深厚知识，这四大基础让英飞凌成为功率半导体市场的领导者。我们冀??SiC 产品系列也将创下相同隹绩，而且势在必得。」

新款1200 V SiC MOSFET结合高可靠度和高效能，动态损耗比1200 V矽IGBT降低了一个数量级。首批产品将用於支援包括光伏逆变器、不断电系统 (UPS) 以及充电器/储能系统等应用的系统性挑战。新的配置组态也将促成各种应用的全新解决方案，包括工业马达驱动、医疗技术或铁道用辅助电源供应等。

采用沟槽式技术的1200 V SiC MOSFET主要优点在於更强大的耐用性，这是由於更低的失效率 (FIT) 和出色的短路容量可满足个别应用的不同需求。产品的 4 V ??值电压 (Vth) 和 +15 V 建议闸极电压 (VGS) 使电晶体可如 IGBT 一般接受控制，并於故障发生时安全断开。SiC MOSFET 可提供极快的切换瞬变。此外，英飞凌的技术可透过闸极串联电阻来促进瞬变调整的简易度，进而轻松实现最隹化的 EMC 特性。

英飞凌在去年已发表引脚式产品 EASY 1B (半桥式/升压式) 和分立式 3pin 与 4pin TO-247 解决方案。成熟完备的 EASY 1B 平台是快速切换装置的理想模组平台。在今年的 PCIM 会场上，英飞凌展出其他采用 1200 V SiC MOSFET 技术的模组平台与拓朴，逐步扩大 CoolSiC MOSFET 的适用效能范围。

发表於 PCIM 2016 的引脚式产品 EASY 1B 及两款分立式装置 3pin 与 4pin TO-247 今年将逐渐投入量产。半桥式组态 EASY 1B 现已供货，亦开始供应支援的各式马达驱动模组和示范板。新产品组态目前可提供样品，计划於 2018 年开始批量生产。

展示项目(SiC模组)

·B6 (Six-Pack) 拓朴 EASY 1B：此模组具备英飞凌模组组态，导通电组 (RDS(ON)) 仅 45 mΩ。整合式本体二极体确保低损耗续流功能。EASY 1B 适用於马达驱动、太阳能或焊接技术领域。

·半桥式拓朴 EASY 2B：这款大型 EASY 装置提供强化效能，每个开关的RDS(ON) 为 8 mΩ。低电感模组概念适用於50 kW 以上及快速切换操作的应用，包括太阳能变频器、快速充电系统或不断电系统解决方案。

·62 mm 半桥式技术：另一种半桥式组态，具备更高功率，每个开关的 RDS(ON) 仅 6 mΩ。此模组平台有助於实现中功率等级系统的低电感连接，可在各种不同的应用领域中发挥作用，包括医疗技术或铁道用辅助电源供应等。由於具备极为广泛的应用潜力，英飞凌预期这款模组将会迅速普及。