英飞凌科技今日宣布，旗下氮化??功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列凭藉其高功率密度、同级最隹效率及降低系统成本等优势，荣获 2019年度Computex BC Award 类别奖。同时，英飞凌也是目前市场上唯一一家专注於高压功率器件，涵盖矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化??（GaN）材料的全方位供应商。

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英飞凌CoolGaN e-mode HEMT 采用常闭式( norm-OFF) 概念，不仅让设计人员容易导入，同时也实现快速开通和关断。CoolGaN 开关具极低的栅极电荷及反向导通状态下的优异动态性能，能够进而大幅提高系统工作频率，从而透过缩小储能及能量转换元件的总体尺寸，提高功率密度，在相同能效下的功率密度可达140 W / in3（3 kW LLC，效率 > 98％），在相同的转换系统尺寸中达到几??三倍的输出功率，换言之，可节省更多空间。CoolGaN e-mode HEMT 支援高频运行的应用，包括：企业与资料中心伺服器、电信整流器、适配器、充电器和无线充电设施等。