过去，蚀刻技术属于IC制程的前端技术，称为蚀刻工程，蚀刻为利用化学反应将薄膜与以加工，始获得特定形状的作业，而STS（Surface Technology Systems plc）将蚀刻技术拉离前端制程，走入后端的先进封装，透过这次的版导体设备展宣布，开发一项新的深反应离子蚀刻（DRIE）电浆源。该系统将与大量制造硅基集成电路（Ics）时，与300mm硅芯片有高度兼容性。

STS所开发的一项重要硅基微细加工技术，该加工法在MEMS的制造过程中已有长达十年的历史。随着电路的越渐复杂及装置速度的提升，产业需求逐渐倾向于将细薄的芯片采用堆栈方式，而非将所有的功能组件都整合于一颗平面的系统单芯片（SoC）中。当堆栈芯片的数量逐渐增加以及输出入（I/O）数增加时，焊线法就变得越来越复杂以及昂贵，而层间互连法则在这方面有其他优势，包括减少所需的芯片面积、缩短互连距离，且可以将导孔放置于芯片内而非芯片边缘。随着2005年Pegasus DRIE的推出，STS便比其他传统的DRIE系统明显地展示了更高的芯片蚀刻率，使层间互连法更加地吸引IC制造商，也为300mm平台带来了同等处理能力的需求。

STS表示，目前在台湾约有50台Pegasus DRIE的蚀刻机，锁定的客户为先进封装厂商与微机电代工，而在CMOS的影像显影制程中的先进封装已被使用，「我们致力于业务的扩展，以及将所拥有的硅晶深蚀刻技术之深度知识利用在新的运用方式上，例如先进的IC封装」STS的台湾分公司总经理朱增基表示：「在主流市场中，新的硅晶蚀刻技术300mm电浆源将成为我们所能够提供产业的新选择。」