账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
恒忆与三星电子共同开发相变化内存
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2009年06月26日 星期五

浏览人次:【2290】

恒忆(Numonyx B.V.)与三星电子(Samsung Electronics Co.,Ltd)宣布共同开发相变化内存(Phase Change Memory,PCM)产品的市场规格,此新一代内存技术可协助多功能手机及行动应用、嵌入式系统及高阶运算装置的制造商,满足处理大量内容及数据的平台所需之高效能及功耗需求。

建立PCM产品通用的软硬件兼容性将有效简化设计流程及缩短开发时间,使制造商可在短时间内改采这两家公司所推出的高效能、低功耗PCM内存产品。相较于传统的NOR及NAND闪存,PCM能以较低的功耗达到极快速的读写速度,并且可达到一般在RAM中可见的位可变性(bit alterability)。

恒忆总裁兼执行长Brian Harrison表示,恒忆与三星的共同合作,能够发挥导入新技术时业界所需的指引与厘清,对于PCM技术发展及整体内存市场均是相当重大的里程碑。共通规格可有效协助芯片组厂商及整个产业体系中的其他厂商达成产品标准化,并且有助催生新一代的内存技术,不仅可嘉惠手机OEM,也有益于嵌入式系统与高阶运算装置及其客户。

恒忆与三星已开始针对支持JEDEC LPDDR2低功耗内存装置标准的行动、嵌入式及其他潜在运算应用订定共通标准,亦即pin-to-pin的软硬件兼容性。LPDDR2标准可提供高级电源管理功能、非挥发性内存(NVM)及挥发性内存(SDRAM)的共享接口,以及各种容量与速度。

此共同标准计划将在 2009 年完成,两家公司预计2010 年将有兼容装置问世。

關鍵字: PCM  恆憶  三星 
相关新闻
三星发表ALoP相机技术 让夜拍更清晰、手机更轻薄
Samsung与NTT Docomo合作AI研究 用於下一代行动通讯技术
IDC:2024第一季全球智慧手机出货成长7.8% 三星重返第一
Ansys电源完整性签核方案通过三星 2奈米矽制程技术认证
三星展示MICRO LED电视 模组化设计可依需求客制化
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» 挥别制程物理极限 半导体异质整合的创新与机遇
» AI运算方兴未艾 3D DRAM技术成性能瓶颈
» STM32MP25系列MPU加速边缘AI应用发展 开启嵌入式智慧新时代
» STM32 MCU产品线再添新成员 STM32H7R/S与STM32U0各擅胜场


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BU3DH9KSSTACUKZ
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: [email protected]