三星电子（Samsung）开发出了利用单晶硅TFT的2.4吋QVGA主动矩阵有机EL面板，并在SID 2007展会上发表相关技术细节。由于提高主动矩阵有机EL面板的亮度需要加大发光材料的通过电流，因此需提高TFT半导体层的结晶性以及TFT载流子迁移率。过去多采用低温多晶硅，三星则是首次使用单晶硅。

三星所开发的面板为240×320画素，亮度为每平方公尺350cd，对比度为1万比1。画素间隔为51μm×153μm，画素电路由2个TFT和1个电容器所组成。TFT的载流子迁移率为p信道90cm2/Vs、n信道120cm2/Vs，与其他有机EL专用的TFT相比之下高出许多。而三星也正利用此技术制作1.9吋TFT液晶面板。

由于单晶硅在制造面板的玻璃底板上成膜非常困难，因此三星使用了康宁开发的SiOG技术。这是在单晶硅晶圆表面浅层部位注入氢离子，然后把晶圆黏贴到康宁的EAGLE玻璃底板上，并从黏合后的底板内外两侧同时施加电压的进行热处理。当氢离子转变为氢分子，而后取下晶圆，单晶硅膜便残留在晶圆表面。

三星表示，此种方式所制造的TFT黏着性良好，可靠性也更高，且适用于大型面板之底板或者第四代底板。