在苹果iPad的助攻以及各类Tablets的强力推波助澜下，市调机构iSuppli预估，到2011年时，NAND闪存可巩固平板计算机市场，成长幅度将近3倍！

预估到2011年，全球平板计算机内NAND闪存的总容量，可达17亿GB左右，今年全球平板计算机内的NAND Flash总容量大约是4.28亿GB，成长幅度将达296.1％！这样的大幅成长可望继续下去，预计到2014年时，全球平板计算机内NAND Flash总容量可超过88亿GB以上！

由于iPad带动所谓media tablets的风潮，用户对于储存多媒体视讯数据的需求越来越殷切。iPad采用NAND Flash储存多媒体视讯数据，已经对于各家Tablets形成带动效应。iSuppli预估今年每台平板计算机内的NAND Flash储存容量，平均约在28GB左右，到2014年时，每一台平板计算机内的NAND Flash储存容量可望大幅成长到65GB。

正因为NAND Flash的供货需求将会不断提升，内存的可扩充性、价格和抹除写入效能，都是值得观察的重点。

一般而言，Flash的工作原理是以电子写入的方式纪录数据（Program），并以电子移除的方式抹除数据（Erase）。闪存两大架构之一的NAND Flash，需经过将特定位数据抹除后才可写入（program），这类似DRAM储存装置的bit alter功能。

由Toshiba研发出属于堆栈式架构的NAND Flash，读取速度特别是在随机访问速度上较慢，不过抹除写入的时间较快，成本较低，数据保全层级需求较低，在大区块的写入效能较占优势，可应用于大量影音数据（data）的独立记忆储存装置。不过NAND Flash装置重新抹除写入时，就会轻微受损产生坏块（Bad Block），因此NAND Flash常以控制器管理坏块，出现坏块时控制器便将数据转移到预定其他储存区间。

因此在技术趋势上，NAND Flash的制程将会更加微型化，进入到20几奈米、甚至是到10几奈米阶段。另外，为有效管理坏块，并提升NAND Flash内存可靠度和抹除写入的效能，内存控制器的bit数将会不断增加，并加强错误校正（ECC）的能力。

目前三星已经推出7吋的GALAXY Tab之外，戴尔也预计在明年推出第二款7吋平板计算机，宏碁也预计在今年底或明年第1季推5吋平板计算机，惠普预料也不会缺席。而摩托罗拉、诺基亚、宏达电、LG等手机大厂，也将在明年陆续推出类似iPad的平板计算机产品。市场对于NAND Flash的需求量，看来只会多不会少！