外电消息报导，美国硅谷一家新创非挥发性内存储存技术公司于周二（5/19）宣布，该公司开发出一种新的储存用内存（Storage-class memories；SCM）技术，容量可达目前NAND Flash的4倍，并有望取代当前的闪存产品。

Unity Semiconcuctor研发出一种「COMx」储存技术，能大幅提高内存的单位储存密度 BigPic:500x688

这家名为「统一半导体（Unity Semiconcuctor）」的公司表示，他们的研发出一种称为「COMx」的储存技术，能大幅提高内存的单位储存密度，约为目前的NAND型闪存芯片的４倍，而储存速度更可达到5倍到10倍之间。

Unity Semiconcuctor表示，新技术主要是利用带电离子在特定材料之间的运动，来实现大量的信息储存容量，其储存单元不像闪存需要采用晶体管（transistor），因此，在储存密度上较闪存更具优势。

Unity Semiconcuctor执行长Alan Niebel表示，透过这种技术，内存将可达成小体积、高密度及低成本的优势。其最小的生产制程可达20nm以下，加上生产的体积密度较NAND闪存高4 bits/cell，因此，单位的成本也可降低。另外，该技术在读取速度与耐用性上，都较NAND更佳，整体成本更具优势。

Unity Semiconcuctor表示，该公司预计在2010年下半年，开始生产容量为64GB的新型内存，并计划在2011年第二季投入量产。