目前有数家晶片制造商，正致力於开发名为STT-MRAM的新一代记忆体技术，然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战。STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中，结合数种常规记忆体的特性而获得市场重视。在多年来的发展中发现，STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪记忆体的稳定性与耐久性。STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性，在晶片中提供非挥发性储存的功能。

MRAM技术高度复杂，因此其发展历程比预期的时间还更长。

只不过，这项技术看起来虽然有其优势，却也高度复杂，这就是为什麽它的发展历程比预期的时间还更长。包括三星、台积电、英特尔、GlobalFoundries 等，都正在持续开发STT-MRAM技术。尽管如此，晶片制造商在其晶圆设备上面临到一些挑战，例如必须改进现有的生产设备，并将其升级到支援28nm或22nm以上的制程。此外，在生产过程中，测试也将发挥关键的作用。STT-MRAM需要新的测试设备，用於测试其磁场状况。除此之外，还包括在生产流程中的不同位置，例如晶圆厂中的生产阶段、测试平台、或者後测试等，都需要更为严格的检测流程。

即便如此，挑战仍然存在。当MRAM晶片在强磁场中运作时，MRAM测试就会产生新的状况。在非磁性的储存设备中，不必担心这一点。然而对於MRAM来说，环境中的磁场就成了一个新的考量因素。通常，在操作期间需要利用强磁场来干扰STT-MRAM，这是需要经过验证并加以解决的问题。产业界目前正密切关注STT-MRAM，因为该储存技术已经开始被嵌入式领域的客户用於产品设计的阶段。