意法半导体（ST）宣布在功率MOSFET芯片的性能方面取得巨大突破，MDmesh V使得ST新一代的650V MOSFET，采用紧凑型功率封装，可将RDS（ON）降到0.079Ω以下。这些产品的应用是锁定以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。

ST MDmesh V MOSFET

33A的STP42N65M5是ST首款的MDmesh V产品，采用TO-220封装，额定导通电阻为0.079Ω。STx42N65M5全系列产品还提供其它的封装选择，包括表面贴装D2PAK以及TO-220FP、I2PAK和TO-247 等封装。目前已量产的STx16N65M5系列也是650V产品，额定RDS（ON）为0.299Ω，额定电流为12A。ST的MDmesh V 650V MOSFET产品蓝图还包括电流更大的产品，RDS（ON）低至0.022Ω的Max247封装及0.038Ω的TO-247封装。 这些产品预计在2009年3月上市。

MDmesh V为ST已成功的Multi-Drain Mesh技术的最新产品，透过改进晶体管的漏极架构，降低漏极源电压降，在单位面积导通电阻RDS（ON）上表现优异。此项优点可降低这款产品的on-state损耗，同时还能保持很低的闸极电荷量（Qg），在高速转换实现优异的效能，提供低‘RDS（ON） x Qg’的灵敏值（Figure of Merit,FOM）。新产品650V的击穿电压高于其他竞争者的600V产品，为研发工程师提供了一个十分宝贵的安全裕度（safety margin）。ST的MDmesh V MOSFET的另一项优点是关断波形更加平滑，因为降低的EMI，使得闸极控制更加容易，且滤波设计更加简单。

MDmesh V MOSFET的节能优势和高功率密度将会为终端产品的节能带来实质性提升，如︰笔记本计算机的电源转换器、液晶显示器及电视机、灯光稳压器、电信设备、太阳能转换器以及其它需要高压功率因子校正或转换模式的功率转换等应用设备。