美国Nanochip将募资1400万美元开发容量达100GB以上的MEMS内存技术。据了解，Nanochip对外宣布，为了利用MEMS技术开发每个芯片容量超过10GB的大容量内存芯片技术，将从英特尔投资（Intel Capital）和美国JK&B Capital等单位募资1400万美元。藉由这些资金，Nanochip将计划在2008年底之前开发MEMS内存样品，并在2009年内于某些特定领域以样品方式出货。

根据了解，Nanochip正在开发的MEMS内存，所采用的是使用奈米尺寸探针数组（Probe Array）在内存材料上读写数据位的结构。由于未采用闪存中容量存在极限的光刻法，因此可以透过现有的制造装置来达到超过10GB以上容量的内存。

该公司最初推出的产品容量将超过100GB，未来更将以低于闪存的成本来制造容量达到1TB的内存芯片，预计首款产品将在2010年之前上市。该公司目前已有7项技术获得美国专利，另有34项技术正在申请阶段。