据外电报导，Intel电路研究实验室主任Shekhar Y. Borkar于北京举办的微处理器论坛中指出，在微处理器发展到奈米技术时，漏电流问题将成为技术提升的过程当中亟需解决的一大问题。

大陆与会人士亦表示认同并指出，由于电晶体尺寸减小，同样面积将会聚集更多的数量，但整体栅氧化物厚度减少，电晶体的阈值电压也相对减少，这就导致了漏电流，而随着技术进一步提升，漏电也将消耗极大功率。

Borkar表示，目前Intel已开发45奈米技术，而对于现阶段这样的技术是目前栅氧化层所能达到的极限。而对此Intel的主要研究方向，就是如何能够在供电电压下降的情况中尽量减少漏电流，从大体上达到平衡；然而以目前的技术，几乎无法达成以上目标，英特尔最新的研发成果也仅是20奈米晶片，要商业化还需一段时间。

大陆半导体专家指出，在大批量产的IC产品中，电压每下降1％，功率消耗将降低3％左右，在此一过程中电压的收敛比较困难，而目前大陆国内外相关厂商、学术界已展开这方面的研究，其主要方向是在降低电压、降低功耗的同时，时间不会有所上升。