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英飞凌首创12寸氮化??功率半导体制程技术 推动市场快速增长
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年09月11日 星期三
浏览人次：【1698】
英飞凌科技（Infineon）宣布成功开发出全球首创12寸氮化??（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握此一技术的企业，这项突破将大幅推动GaN功率半导体市场的发展。相较於8寸晶圆，12寸晶圆因晶圆直径的扩大，每片晶圆上的晶片数量增加2.3倍，能够显着提高效率。
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關鍵字： GaN功率晶圆  Infineon 
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