据Digitimes报导，因IBM微电子在0.13微米以下制程之低电介质（Low K）材料Silk良率稳定度偏低，其晶圆代工客户包括智霖（Xilinx）、NVIDIA等全球前10大设计公司为避免风险，于第四季再度提高对台晶圆代工厂投片比重，其中Xilinx在联电12吋晶圆厂0.13微米铜导线制程良率超过95％，NVIDIA近期也开始将GeForce FX5700（NV36）在台积电进行制程研发，且不排除提前导入量产。

该报导引述IC设计公司与台积电、联电制程研发部门说法指出，IBM在制程蓝图上，0.13微米与90奈米的Low K绝缘材料仍以Dow Chemical旋涂有机Silk薄膜为主，预计65奈米以下才会开始采用化学气相沉积（CVD）材料，现阶段IC设计公司虽数度建议IBM晶圆厂在0.13微米制程开始采用CVD材质，不过IBM晶圆厂短期仍未有改变绝缘材质规划。而为避免风险，IBM部份客户已转向台湾代工厂投片。

目前Xilinx在联电投片主力制程已经陆续从0.18微米提升到0.15微米、0.13微米，现阶段0.13微米制程FPGA产品线全数在联电投片，90奈米亦超过98％在联电下单，据悉Xilinx仍将维持在IBM晶圆厂试产动作，不过在联电产能无法充分支应前，Xilinx并不考虑在IBM晶圆厂大量投片。

至于首款在IBM晶圆厂投片的NVIDIA NV36绘图芯片在11月量产，不过，近期台积电制程研发小组亦展开该产品线开发，晶圆厂内部指出，原先NVIDIA即规划先以IBM晶圆厂设计开发，但在台积电在0.13微米以下量产良率高于对手考虑下，并规划以12吋厂量产该芯片组，NVIDIA并不排除提前在台积电展开量产NV36进度。